2N697S - описание и поиск аналогов

 

2N697S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N697S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2N697S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N697S даташит

 9.1. Size:305K  rca
2n697.pdfpdf_icon

2N697S

 9.2. Size:36K  harris semi
2n6975 2n6976 2n6977 2n6978.pdfpdf_icon

2N697S

2N6975, 2N6976, S E M I C O N D U C T O R 2N6977, 2N6978 5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs April 1995 April 1995 Features Package JEDEC TO-204AA 5A, 400V and 500V BOTTOM VIEW VCE(ON) 2V COLLECTOR EMITTER (FLANGE) TFI 1 s, 0.5 s Low On-State Voltage GATE Fast Switching Speeds High Input Impedance Terminal Diagram Applications N-CHANNEL ENHANCEMENT M

 9.3. Size:195K  cdil
2n697.pdfpdf_icon

2N697S

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 2N 697 TO-39 Metal Can Package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCER Collector Emitter Voltage 40 V VCBO Collector Base Voltage 60 V VEBO Emitter Base Voltage 5V PD Power Dissipation @ Ta=25 C 600

 9.4. Size:61K  microsemi
2n696 2n697.pdfpdf_icon

2N697S

TECHNICAL DATA NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/99 Devices Qualified Level 2N696 2N697 JAN 2N696S 2N697S MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Base Voltage 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Total Power Dissipation @ T = 250C (1) 0.6 W A PT @ T = 250C (2) 2.0 W C 0 Operating & Storage Juncti

Другие транзисторы: 2N6837, 2N694, 2N695, 2N696, 2N696A, 2N696S, 2N697, 2N697A, A733, 2N698, 2N6987, 2N6988, 2N699, 2N699A, 2N699B, 2N699S, 2N70

 

 

 

 

↑ Back to Top
.