NSBC114EF3T5G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSBC114EF3T5G

Маркировка: A

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SOT1123-3

 Аналоги (замена) для NSBC114EF3T5G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSBC114EF3T5G даташит

 4.1. Size:155K  onsemi
 nsbc114ef3.pdf pdf_icon

NSBC114EF3T5G

MUN2211, MMUN2211L, MUN5211, DTC114EE, DTC114EM3, NSBC114EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 10 kW, R2 = 10 kW http //onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (

 4.2. Size:117K  onsemi
 nsbc114ef3-d.pdf pdf_icon

NSBC114EF3T5G

NSBC114EF3T5G Series Preferred Devices Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single http //onsemi.com device and its external resistor bias network. The digital transistor contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors;

 6.1. Size:89K  onsemi
 nsbc114edp6.pdf pdf_icon

NSBC114EF3T5G

MUN5211DW1, NSBC114EDXV6, NSBC114EDP6 Dual NPN Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 10 kW, R2 = 10 kW NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 R2 Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 6.2. Size:101K  onsemi
 nsbc114epdp6.pdf pdf_icon

NSBC114EF3T5G

MUN5311DW1, NSBC114EPDXV6, NSBC114EPDP6 Complementary Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 10 kW, R2 = 10 kW NPN and PNP Transistors with Monolithic PIN CONNECTIONS Bias Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 R2 Transistor (BRT) contains a single

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSBC113EPDXV6, NSBC113EPDXV6T1G, NSBC114EDP6, NSBC114EDP6T5G, NSBC114EDXV6, NSBC114EDXV6T1G, NSBC114EDXV6T5G, NSBC114EF3, BC557, NSBC114EPDP6, NSBC114EPDP6T5G, NSBC114EPDXV6, NSBC114EPDXV6T1G, NSBC114EPDXV6T5G, NSBC114TDP6, NSBC114TDP6T5G, NSBC114TDXV6