Справочник транзисторов. NSVBSS63LT1G

 

Биполярный транзистор NSVBSS63LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVBSS63LT1G
   Маркировка: BM
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для NSVBSS63LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBSS63LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  onsemi
 bss63lt1g nsvbss63lt1g.pdf pdf_icon

NSVBSS63LT1G

BSS63LT1G,NSVBSS63LT1GHigh Voltage TransistorPNP Siliconwww.onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASEMAXIMUM RATINGS2EMITTERRating Symbol Value UnitColl

 ..2. Size:91K  onsemi
 nsvbss63lt1g.pdf pdf_icon

NSVBSS63LT1G

BSS63LT1G,NSVBSS63LT1GHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASEMAXIMUM RATINGS2EMITTERRating Symbol Value UnitC

 9.1. Size:100K  onsemi
 nsvbsp19at1g.pdf pdf_icon

NSVBSS63LT1G

BSP19AT1G,NSVBSP19AT1GNPN Silicon ExpitaxialTransistorThis family of NPN Silicon Epitaxial transistors is designed for useas a general purpose amplifier and in switching applications. Thehttp://onsemi.comdevice is housed in the SOT-223 package which is designed formedium power surface mount applications.SOT-223 PACKAGEFeaturesNPN SILICON HIGH VOLTAGE High VoltageTRA

Другие транзисторы... NSBC115TDP6 , NSBC115TDP6T5G , NSBC115TF3 , NSBC115TF3T5G , NSBC115TPDP6 , NSBC115TPDP6T5G , NSVBCX17LT1G , NSVBSP19AT1G , 2SD313 , NSVBT2222ADW1T1G , NSVEMC2DXV5T1G , NSVEMD4DXV6T5G , NSVEMX1DXV6T1G , NSVMBT3904DW1T3G , NSBC123EDXV6 , NSBC123EDXV6T1G , NSBC123EF3 .

History: MUN2211

 

 
Back to Top

 


 
.