NSVBSS63LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVBSS63LT1G

Маркировка: BM

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для NSVBSS63LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBSS63LT1G даташит

 ..1. Size:81K  onsemi
 bss63lt1g nsvbss63lt1g.pdf pdf_icon

NSVBSS63LT1G

BSS63LT1G, NSVBSS63LT1G High Voltage Transistor PNP Silicon www.onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit Coll

 ..2. Size:91K  onsemi
 nsvbss63lt1g.pdf pdf_icon

NSVBSS63LT1G

BSS63LT1G, NSVBSS63LT1G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit C

 9.1. Size:100K  onsemi
 nsvbsp19at1g.pdf pdf_icon

NSVBSS63LT1G

BSP19AT1G, NSVBSP19AT1G NPN Silicon Expitaxial Transistor This family of NPN Silicon Epitaxial transistors is designed for use as a general purpose amplifier and in switching applications. The http //onsemi.com device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications. SOT-223 PACKAGE Features NPN SILICON HIGH VOLTAGE High Voltage TRA

Другие транзисторы: NSBC115TDP6, NSBC115TDP6T5G, NSBC115TF3, NSBC115TF3T5G, NSBC115TPDP6, NSBC115TPDP6T5G, NSVBCX17LT1G, NSVBSP19AT1G, A1013, NSVBT2222ADW1T1G, NSVEMC2DXV5T1G, NSVEMD4DXV6T5G, NSVEMX1DXV6T1G, NSVMBT3904DW1T3G, NSBC123EDXV6, NSBC123EDXV6T1G, NSBC123EF3