NSVBC846BM3T5G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVBC846BM3T5G

Маркировка: 1B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT723

 Аналоги (замена) для NSVBC846BM3T5G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBC846BM3T5G даташит

 ..1. Size:100K  onsemi
nsvbc846bm3t5g.pdfpdf_icon

NSVBC846BM3T5G

BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI

 ..2. Size:96K  onsemi
bc846bm3t5g nsvbc846bm3t5g.pdfpdf_icon

NSVBC846BM3T5G

BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI

 7.1. Size:111K  onsemi
bc846alt1g bc846blt1g bc847alt1g bc847blt1g nsvbc847blt3g bc847clt1g bc848alt1g bc848blt1g bc848clt1g bc849blt1g bc849clt1g bc850blt1g nsvbc850blt1g bc850clt1g nsvbc850clt1g.pdfpdf_icon

NSVBC846BM3T5G

BC846ALT1G Series General Purpose Transistors NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model >4000 V ESD Rating - Machine Model >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1 These Devices are Pb-

 7.2. Size:109K  onsemi
nsvbc848bwt1g.pdfpdf_icon

NSVBC846BM3T5G

BC846, BC847, BC848 General Purpose Transistors NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier www.onsemi.com applications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR Features 3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC

Другие транзисторы: NSV60201LT1G, NSV60600MZ4T1G, NSV60600MZ4T3G, NSV60601MZ4T1G, NSV60601MZ4T3G, NSV9435T1G, NSVBC817-16LT1G, NSVBC818-40LT1G, BC327, NSVBC847BDW1T2G, NSVBC847BLT3G, NSVBC847BTT1G, NSVBC848BWT1G, NSVBC848CDW1T1G, NSVBC848CLT1G, NSVBC850BLT1G, NSVBC850CLT1G