Справочник транзисторов. NSVBC848CLT1G

 

Биполярный транзистор NSVBC848CLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVBC848CLT1G
   Маркировка: 1L
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для NSVBC848CLT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBC848CLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  onsemi
nsvbc848clt1g.pdfpdf_icon

NSVBC848CLT1G

BC846ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model: >4000 VESD Rating - Machine Model: >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable1 These Devices are Pb-

 5.1. Size:110K  onsemi
nsvbc848cdw1t1g.pdfpdf_icon

NSVBC848CLT1G

BC846BDW1, BC847BDW1,BC848CDW1Dual General PurposeTransistorsNPN Dualswww.onsemi.comThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.Features SOT-363CASE 419B S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSTYLE 1Requiring Unique Site and

 6.1. Size:109K  onsemi
nsvbc848bwt1g.pdfpdf_icon

NSVBC848CLT1G

BC846, BC847, BC848General PurposeTransistorsNPN SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierwww.onsemi.comapplications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which isdesigned for low power surface mount applications.COLLECTORFeatures3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC

 7.1. Size:111K  onsemi
bc846alt1g bc846blt1g bc847alt1g bc847blt1g nsvbc847blt3g bc847clt1g bc848alt1g bc848blt1g bc848clt1g bc849blt1g bc849clt1g bc850blt1g nsvbc850blt1g bc850clt1g nsvbc850clt1g.pdfpdf_icon

NSVBC848CLT1G

BC846ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model: >4000 VESD Rating - Machine Model: >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable1 These Devices are Pb-

Другие транзисторы... NSVBC817-16LT1G , NSVBC818-40LT1G , NSVBC846BM3T5G , NSVBC847BDW1T2G , NSVBC847BLT3G , NSVBC847BTT1G , NSVBC848BWT1G , NSVBC848CDW1T1G , TIP35C , NSVBC850BLT1G , NSVBC850CLT1G , NSVBC857BLT3G , NSVBC857BTT1G , NSVBC857CWT1G , NSVBC858BLT1G , NSVBC858CLT1G , NSS20101J .

History: NSVBC846BM3T5G | FMA4A | BFT75R | 2SB280 | BD647F | KRA559E

 

 
Back to Top

 


 
.