NSS20201MR6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS20201MR6

Маркировка: VS0

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TSOP6

 Аналоги (замена) для NSS20201MR6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS20201MR6 даташит

 ..1. Size:47K  onsemi
 nss20201mr6.pdf pdf_icon

NSS20201MR6

NSS20201MR6T1G 20 V, 3 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importa

 0.1. Size:118K  onsemi
 nss20201mr6t1g.pdf pdf_icon

NSS20201MR6

NSS20201MR6T1G 20 V, 3 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importa

 6.1. Size:119K  onsemi
 nss20201lt1g.pdf pdf_icon

NSS20201MR6

NSS20201LT1G, NSV20201LT1G 20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These 20 VOLTS 4.0 AMPS are designed for use in low voltage, high speed switching applications NPN LOW VCE(sat) T

 6.2. Size:125K  onsemi
 nss20201l-d.pdf pdf_icon

NSS20201MR6

NSS20201LT1G 20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSVBC857BLT3G, NSVBC857BTT1G, NSVBC857CWT1G, NSVBC858BLT1G, NSVBC858CLT1G, NSS20101J, NSS20200LT1G, NSS20201LT1G, 2SD313, NSS40300MZ4T1G, NSS40300MZ4T3G, NSS40301MDR2G, NSS40301MZ4T1G, NSS40301MZ4T3G, NSS40302PDR2G, NSS40500UW3T2G, NSS40501UW3T2G