Справочник транзисторов. NSS20201MR6

 

Биполярный транзистор NSS20201MR6 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS20201MR6
   Маркировка: VS0
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TSOP6
 

 Аналог (замена) для NSS20201MR6

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS20201MR6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  onsemi
 nss20201mr6.pdf pdf_icon

NSS20201MR6

NSS20201MR6T1G20 V, 3 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

 0.1. Size:118K  onsemi
 nss20201mr6t1g.pdf pdf_icon

NSS20201MR6

NSS20201MR6T1G20 V, 3 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

 6.1. Size:119K  onsemi
 nss20201lt1g.pdf pdf_icon

NSS20201MR6

NSS20201LT1G,NSV20201LT1G20 V, 4.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These20 VOLTS 4.0 AMPSare designed for use in low voltage, high speed switching applicationsNPN LOW VCE(sat) T

 6.2. Size:125K  onsemi
 nss20201l-d.pdf pdf_icon

NSS20201MR6

NSS20201LT1G20 V, 4.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... NSVBC857BLT3G , NSVBC857BTT1G , NSVBC857CWT1G , NSVBC858BLT1G , NSVBC858CLT1G , NSS20101J , NSS20200LT1G , NSS20201LT1G , BC558 , NSS40300MZ4T1G , NSS40300MZ4T3G , NSS40301MDR2G , NSS40301MZ4T1G , NSS40301MZ4T3G , NSS40302PDR2G , NSS40500UW3T2G , NSS40501UW3T2G .

History: BFY67A | FMMT3645 | CTP1108 | BU2532AL | DTC123 | NSVF4017SG4

 

 
Back to Top

 


 
.