NSS40601CF8T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS40601CF8T1G

Маркировка: VB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: DFN3X2

 Аналоги (замена) для NSS40601CF8T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS40601CF8T1G даташит

 ..1. Size:161K  onsemi
 nss40601cf8t1g.pdf pdf_icon

NSS40601CF8T1G

NSS40601CF8T1G 40 V, 8.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importa

 3.1. Size:88K  onsemi
 nss40601cf8-d.pdf pdf_icon

NSS40601CF8T1G

NSS40601CF8T1G 40 V, 8.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importa

 7.1. Size:128K  onsemi
 nss40600cf8-d.pdf pdf_icon

NSS40601CF8T1G

NSS40600CF8T1G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is impor

 7.2. Size:103K  onsemi
 nss40600cf8t1g.pdf pdf_icon

NSS40601CF8T1G

NSS40600CF8T1G, SNSS40600CF8T1G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low -40 VOLTS, 7.0 AMPS saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications PNP LOW VCE(

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSS40300MZ4T3G, NSS40301MDR2G, NSS40301MZ4T1G, NSS40301MZ4T3G, NSS40302PDR2G, NSS40500UW3T2G, NSS40501UW3T2G, NSS40600CF8T1G, 2SB817, NSS60100DMT, NSS60101DMT, NSS60600MZ4T1G, NSS60600MZ4T3G, NSS60601MZ4T1G, NSS60601MZ4T3G, NSTB1002DXV5, NSTB1005DXV5