NSS60101DMT - описание и поиск аналогов

 

Аналоги NSS60101DMT. Основные параметры


   Наименование производителя: NSS60101DMT
   Маркировка: AN
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.27 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: WDFN6

 Аналоги (замена) для NSS60101DMT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS60101DMT даташит

 ..1. Size:211K  onsemi
nss60101dmt.pdfpdf_icon

NSS60101DMT

DATA SHEET www.onsemi.com Low VCE(sat) NPN Transistors 60 Volt, 1 Amp NPN Low VCE(sat) Transistors 60 V, 1 A MARKING NSS60101DMT DIAGRAM onsemi s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are 1 6 WDFN6 miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage AN MG 2 5 CASE 506AN G (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use 3 4 1

 4.1. Size:233K  onsemi
nss60101dmr6.pdfpdf_icon

NSS60101DMT

Low VCE(sat) NPN Transistors, 60 V, 1 A NSS60101DMR6 ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These www.onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.

 7.1. Size:116K  onsemi
nss60100dmt.pdfpdf_icon

NSS60101DMT

NSS60100DMT 60 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistors ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These www.onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.

 9.1. Size:107K  onsemi
nss60601mz4-d.pdfpdf_icon

NSS60101DMT

NSS60601MZ4 60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where http //onsemi.com affordable efficient energy control is important. Typica

Другие транзисторы... NSS40301MZ4T1G , NSS40301MZ4T3G , NSS40302PDR2G , NSS40500UW3T2G , NSS40501UW3T2G , NSS40600CF8T1G , NSS40601CF8T1G , NSS60100DMT , 2SC2655 , NSS60600MZ4T1G , NSS60600MZ4T3G , NSS60601MZ4T1G , NSS60601MZ4T3G , NSTB1002DXV5 , NSTB1005DXV5 , NSTB60BDW1T1G , NSVB114YPDXV6T1G .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.