Справочник транзисторов. NSVBC114EPDXV6T1G

 

Биполярный транзистор NSVBC114EPDXV6T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: NSVBC114EPDXV6T1G
   Маркировка: 11
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SOT563

 Аналоги (замена) для NSVBC114EPDXV6T1G

 

 

NSVBC114EPDXV6T1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:101K  onsemi
nsvbc114epdxv6t1g.pdf

NSVBC114EPDXV6T1G
NSVBC114EPDXV6T1G

MUN5311DW1,NSBC114EPDXV6,NSBC114EPDP6Complementary BiasResistor Transistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 10 kWNPN and PNP Transistors with MonolithicPIN CONNECTIONSBias Resistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorR1 R2Transistor (BRT) contains a single

 5.1. Size:89K  onsemi
nsvbc114edxv6t1g.pdf

NSVBC114EPDXV6T1G
NSVBC114EPDXV6T1G

MUN5211DW1,NSBC114EDXV6,NSBC114EDP6Dual NPN Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 10 kWNPN Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorR1 R2Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 6.1. Size:165K  onsemi
nsvbc114ydxv6t1g.pdf

NSVBC114EPDXV6T1G
NSVBC114EPDXV6T1G

NSBC114EPDXV6T1G,NSVBC114EPDXV6T1G SeriesDual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Biashttp://onsemi.comResistor NetworkThe BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors areSOT-

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top