NSV2SA2029M3T5G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSV2SA2029M3T5G

Маркировка: F9

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT723

 Аналоги (замена) для NSV2SA2029M3T5G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSV2SA2029M3T5G даташит

 0.1. Size:97K  onsemi
 nsv2sa2029m3t5g.pdf pdf_icon

NSV2SA2029M3T5G

2SA2029M3T5G PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board http //onsemi.com space is at a premium. Features PNP GENERAL Reduces Board Space PURPOSE AMPLIFIER High hFE, 210-460 (Typ

 9.1. Size:98K  onsemi
 nsv2sc5658m3t5g.pdf pdf_icon

NSV2SA2029M3T5G

2SC5658M3T5G, 2SC5658RM3T5G NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor This NPN transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-723 package which is http //onsemi.com designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. NPN GENERAL Features PURPOSE AMPLIFIER Reduces Board Space TRANSISTOR

Другие транзисторы: NSVB144EPDXV6T1G, NSVB1706DMW5T1G, NSVBA114EDXV6T1G, NSVBA114YDXV6T1G, NSVBC114EDXV6T1G, NSVBC114EPDXV6T1G, NSVBC114YDXV6T1G, NSVBC124EDXV6T1G, MPSA42, NSV2SC5658M3T5G, NSV40200LT1G, NSV40200UW6T1G, NSV40201LT1G, NSV40300MDR2G, NSV40300MZ4T1G, NSV40301MDR2G, NSV40301MZ4T1G