Справочник транзисторов. NSV2SA2029M3T5G

 

Биполярный транзистор NSV2SA2029M3T5G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: NSV2SA2029M3T5G
   Маркировка: F9
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT723

 Аналоги (замена) для NSV2SA2029M3T5G

 

 

NSV2SA2029M3T5G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:97K  onsemi
nsv2sa2029m3t5g.pdf

NSV2SA2029M3T5G
NSV2SA2029M3T5G

2SA2029M3T5GPNP Silicon GeneralPurpose Amplifier TransistorThis PNP transistor is designed for general purpose amplifierapplications. This device is housed in the SOT-723 package which isdesigned for low power surface mount applications, where boardhttp://onsemi.comspace is at a premium.FeaturesPNP GENERAL Reduces Board SpacePURPOSE AMPLIFIER High hFE, 210-460 (Typ

 9.1. Size:98K  onsemi
nsv2sc5658m3t5g.pdf

NSV2SA2029M3T5G
NSV2SA2029M3T5G

2SC5658M3T5G,2SC5658RM3T5GNPN Silicon GeneralPurpose Amplifier TransistorThis NPN transistor is designed for general purpose amplifierapplications. This device is housed in the SOT-723 package which ishttp://onsemi.comdesigned for low power surface mount applications, where boardspace is at a premium.NPN GENERALFeaturesPURPOSE AMPLIFIER Reduces Board SpaceTRANSISTOR

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top