NSV40200UW6T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSV40200UW6T1G

Маркировка: VA

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: WDFN6

 Аналоги (замена) для NSV40200UW6T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSV40200UW6T1G даташит

 ..1. Size:72K  onsemi
 nsv40200uw6t1g.pdf pdf_icon

NSV40200UW6T1G

NSS40200UW6T1G, NSV40200UW6T1G 40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy

 6.1. Size:86K  onsemi
 nss40200l nsv40200l.pdf pdf_icon

NSV40200UW6T1G

NSS40200L, NSV40200L 40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These www.onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is im

 6.2. Size:127K  onsemi
 nsv40200lt1g.pdf pdf_icon

NSV40200UW6T1G

NSS40200LT1G, NSV40200LT1G 40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These -40 VOLTS are designed for use in low voltage, high speed switching applications 4.0 AMPS where affordable

 7.1. Size:86K  onsemi
 nss40201lt1g nsv40201lt1g.pdf pdf_icon

NSV40200UW6T1G

NSS40201LT1G, NSV40201LT1G 40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) www.onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These 40 VOLTS, 2.0 AMPS are designed for use in low voltage, high speed switching applications NPN LOW VCE(sat) TRA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSVBA114YDXV6T1G, NSVBC114EDXV6T1G, NSVBC114EPDXV6T1G, NSVBC114YDXV6T1G, NSVBC124EDXV6T1G, NSV2SA2029M3T5G, NSV2SC5658M3T5G, NSV40200LT1G, S9018, NSV40201LT1G, NSV40300MDR2G, NSV40300MZ4T1G, NSV40301MDR2G, NSV40301MZ4T1G, NSV40302PDR2G, NSBC144EDP6, NSBC144EDXV6