NSV40201LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSV40201LT1G

Маркировка: VB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.54 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для NSV40201LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSV40201LT1G даташит

 ..1. Size:86K  onsemi
nss40201lt1g nsv40201lt1g.pdfpdf_icon

NSV40201LT1G

NSS40201LT1G, NSV40201LT1G 40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) www.onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These 40 VOLTS, 2.0 AMPS are designed for use in low voltage, high speed switching applications NPN LOW VCE(sat) TRA

 ..2. Size:106K  onsemi
nsv40201lt1g.pdfpdf_icon

NSV40201LT1G

NSS40201LT1G, NSV40201LT1G 40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These 40 VOLTS, 2.0 AMPS are designed for use in low voltage, high speed switching applications NPN LOW VCE(sat)

 7.1. Size:86K  onsemi
nss40200l nsv40200l.pdfpdf_icon

NSV40201LT1G

NSS40200L, NSV40200L 40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These www.onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is im

 7.2. Size:127K  onsemi
nsv40200lt1g.pdfpdf_icon

NSV40201LT1G

NSS40200LT1G, NSV40200LT1G 40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These -40 VOLTS are designed for use in low voltage, high speed switching applications 4.0 AMPS where affordable

Другие транзисторы: NSVBC114EDXV6T1G, NSVBC114EPDXV6T1G, NSVBC114YDXV6T1G, NSVBC124EDXV6T1G, NSV2SA2029M3T5G, NSV2SC5658M3T5G, NSV40200LT1G, NSV40200UW6T1G, TIP32C, NSV40300MDR2G, NSV40300MZ4T1G, NSV40301MDR2G, NSV40301MZ4T1G, NSV40302PDR2G, NSBC144EDP6, NSBC144EDXV6, NSBC144EF3