Биполярный транзистор 2N706B-51 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N706B-51
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO51

Другие транзисторы... 2N706 , 2N706-46 , 2N706-51 , 2N706A , 2N706A-46 , 2N706A-51 , 2N706B , 2N706B-46 , D965 , 2N706C , 2N706C-46 , 2N706C-51 , 2N707 , 2N707A , 2N708 , 2N708-46 , 2N708-51 .

History: DRA4144V