Биполярный транзистор A1273 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: A1273
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 48 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92L
A1273 Datasheet (PDF)
a1273.pdf
A1273PNP silicon APPLICATION: High Current Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -30 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VTO-92L1Emitter-base voltage VEBO -5 V1. Emitter 2. Collector 3. BaseCollector current IC -2 ACollector Power Dissipation PC 1WJunction Temperature TJ 150
2n3904 2n3906 2n5401 2n5551 2sa1271 2sa1273 2sa1275 2sa1276 2sa1366 2sa1657 2sa1658 2sb1366 2sb988 2sc3190 2sc3191 2sc3192.pdf
kta1273.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1273TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION.B DFEATURES Complementary to KTC3205.DIM MILLIMETERSPDEPTH:0.2A 7.20 MAXB 5.20 MAXCC 0.60 MAXSMAXIMUM RATING (Ta=25 )D 2.50 MAXQE 1.15 MAXKCHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITF 1.27G 1.70 MAXVCBO -30 VH 0.55 MAXCollector-Base Voltage FF_J 14.00 + 0.50K 0
kta1273.pdf
KTA1273 TRANSISTOR (PNP) SOT-89-3L FEATURES 1. BASE High Current Low Voltage2. COLLECTOR Complementary to KTC3205 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -30 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -2 A PC Collector Power Dissipation 5
kta1273 to-92l.pdf
KTA1273 TO-92L Transistor (PNP)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 4.70015.100Features Complementary to KTC3205. 7.800 8.200MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.6000.800Symbol Parameter Value Units0.350VCBO Collector-Base Voltage -30 V0.55013.800VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V 14.200VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Co
kta1273t.pdf
KTA1273T(BR3CG1273T) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features KTC3205T(BR3DG3205T) Complementary pair with KTC3205T(BR3DG3205T). / Applications High current applications. / Equivalent Circuit
a1273a.pdf
A1273APNP silicon APPLICATION: High Current Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -80 VCollector-emitter voltage VCEO -75 VTO-92L1Emitter-base voltage VEBO -5 V1. Emitter 2. Collector 3. BaseCollector current IC -2 ACollector Power Dissipation PC 1WJunction Temperatu
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BC508F | 2SC964 | 2N2222A | 2N2906CSM | BC509C | MA1707 | 2N2944A
History: BC508F | 2SC964 | 2N2222A | 2N2906CSM | BC509C | MA1707 | 2N2944A
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050