A1273A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: A1273A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 48 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для A1273A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1273A даташит

 ..1. Size:221K  fgx
 a1273a.pdf pdf_icon

A1273A

A1273A PNP silicon APPLICATION High Current Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -75 V TO-92L 1 Emitter-base voltage VEBO -5 V 1. Emitter 2. Collector 3. Base Collector current IC -2 A Collector Power Dissipation PC 1W Junction Temperatu

 9.1. Size:495K  no
 2n3904 2n3906 2n5401 2n5551 2sa1271 2sa1273 2sa1275 2sa1276 2sa1366 2sa1657 2sa1658 2sb1366 2sb988 2sc3190 2sc3191 2sc3192.pdf pdf_icon

A1273A

 9.2. Size:77K  kec
 kta1273.pdf pdf_icon

A1273A

SEMICONDUCTOR KTA1273 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH CURRENT APPLICATION. B D FEATURES Complementary to KTC3205. DIM MILLIMETERS P DEPTH 0.2 A 7.20 MAX B 5.20 MAX C C 0.60 MAX S MAXIMUM RATING (Ta=25 ) D 2.50 MAX Q E 1.15 MAX K CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT F 1.27 G 1.70 MAX VCBO -30 V H 0.55 MAX Collector-Base Voltage FF _ J 14.00 + 0.50 K 0

 9.3. Size:34K  kec
 2sa1273.pdf pdf_icon

A1273A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: A1246, A1255, A1266, A1267, A1267S, A1270, A1271, A1273, TIP31C, A1276, A1296, A1297, A1298, A1300, A1309, A1313, A1317