A931. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: A931

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92L

 Аналоги (замена) для A931

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A931 даташит

 ..1. Size:238K  fgx
 a931.pdf pdf_icon

A931

A931 PNP silicon APPLICATION Audio Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -60 V TO-92L 1 Emitter-base voltage VEBO -8 V 1. Emitter 2. Collector 3. Base Collector current IC -700 mA Collector Power Dissipation PC 1W Junction

 0.1. Size:41K  fairchild semi
 ksa931.pdf pdf_icon

A931

KSA931 Low Frequency Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSC2331 Collector-Base Voltage VCBO= -80V Collector Power Dissipation PC=1W TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter V

 0.2. Size:71K  samsung
 ksa931.pdf pdf_icon

A931

KSA931 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY AMPLIFIER TO-92L MEDIUM SPEED SWITCHING Complement to KSC2331 Collector-Base Voltage VCBO= -80V Collector Dissipation PC=1W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -80 V Collector-Emitter Voltage VCEO -60 V Emitter-Base Voltage VEBO -8 V Collector Current IC -

 0.3. Size:268K  vishay
 sia931dj.pdf pdf_icon

A931

SiA931DJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.065 at VGS = - 10 V - 4.5a - Small Footprint Area 0.080 at VGS = - 6 V - 30 - 4.5a 4.1 nC - Low On-Resistance 0.100 at VGS = - 4.5 V - 4.5a 100 % Rg Test

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: A720, A751, A773, A817, A838, A844, A9015, A928A, D667, A933, A933AS, A940, A950, A952, A966, A970, A984