H669A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H669A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126ML

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для H669A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H669A даташит

 ..1. Size:71K  shantou-huashan
 h669a.pdf pdf_icon

H669A

www.DataSheet4U.com N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R H669A 2SD669A Ta=25 TO-126ML Tstg -55 150 Tj

 ..2. Size:71K  china
 h669a.pdf pdf_icon

H669A

www.DataSheet4U.com N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R H669A 2SD669A Ta=25 TO-126ML Tstg -55 150 Tj

Другие транзисторы: APT17N, APT17Z, APT27HZ, APT27Z, PN100A, 2SB1443, 2SC5856, 3DD5036, BD135, H9014, MN2488, NTE106, SK3114A, SK3118, SK3122, SK3124A, SK3132