Биполярный транзистор H669A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: H669A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO126ML
H669A Datasheet (PDF)
..1. Size:71K shantou-huashan
h669a.pdf
h669a.pdf
www.DataSheet4U.comN P N S I L I C O N T R A N S I S T O R H669A 2SD669A Ta=25 TO-126ML Tstg -55~150Tj
..2. Size:71K china
h669a.pdf
h669a.pdf
www.DataSheet4U.comN P N S I L I C O N T R A N S I S T O R H669A 2SD669A Ta=25 TO-126ML Tstg -55~150Tj
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: CSD73O | KSA5037 | 2SC460
