HBD436 - описание и поиск аналогов

 

HBD436. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBD436

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для HBD436

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBD436 даташит

 ..1. Size:145K  shantou-huashan
 hbd436.pdf pdf_icon

HBD436

 9.1. Size:41K  hsmc
 hbd438t.pdf pdf_icon

HBD436

Spec. No. HT200206 HI-SINCERITY Issued Date 2001.04.01 Revised Date 2005.12.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HBD438T COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Description The HBD438T is silison epitaxial-base PNP power transistor in TO-126 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The complementary NPN type is HBD437T. TO-126 A

 9.2. Size:43K  hsmc
 hbd437t.pdf pdf_icon

HBD436

Spec. No. HT200201 HI-SINCERITY Issued Date 2001.04.01 Revised Date 2005.12.02 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HBD437T COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Description The HBD437T is silison epitaxial-base NPN power transistor in TO-126 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The complementary PNP type is HBD438T. TO-126 A

 9.3. Size:144K  shantou-huashan
 hbd435.pdf pdf_icon

HBD436

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HB123D, HB1274, HB834, HB857, HBD195, HBD196, HBD241C, HBD435, BC337, HBD681, HBD682, HBDW93C, HBDW94C, HBU3150A, HBU406, HBU406H, HC1061

 

 

 

 

↑ Back to Top
.