Справочник транзисторов. HBD436

 

Биполярный транзистор HBD436 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HBD436
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для HBD436

 

 

HBD436 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  shantou-huashan
hbd436.pdf

HBD436
HBD436

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD436 APPLICATIONS Medium Power Linear And Switching Applicatione. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector Dissipation

 9.1. Size:41K  hsmc
hbd438t.pdf

HBD436
HBD436

Spec. No. : HT200206HI-SINCERITYIssued Date : 2001.04.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBD438TCOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSDescriptionThe HBD438T is silison epitaxial-base PNP power transistor in TO-126 plasticpackage, intented for use in medium power linear and switching applications. Thecomplementary NPN type is HBD437T.TO-126A

 9.2. Size:43K  hsmc
hbd437t.pdf

HBD436
HBD436

Spec. No. : HT200201HI-SINCERITYIssued Date : 2001.04.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBD437TCOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSDescriptionThe HBD437T is silison epitaxial-base NPN power transistor in TO-126 plasticpackage, intented for use in medium power linear and switching applications. Thecomplementary PNP type is HBD438T.TO-126A

 9.3. Size:144K  shantou-huashan
hbd435.pdf

HBD436
HBD436

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD435 APPLICATIONS Medium Power Linear And Switching Applicatione. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector Dissipation

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top