Справочник транзисторов. HBD436

 

Биполярный транзистор HBD436 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBD436
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для HBD436

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBD436 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  shantou-huashan
 hbd436.pdf pdf_icon

HBD436

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD436 APPLICATIONS Medium Power Linear And Switching Applicatione. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector Dissipation

 9.1. Size:41K  hsmc
 hbd438t.pdf pdf_icon

HBD436

Spec. No. : HT200206HI-SINCERITYIssued Date : 2001.04.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBD438TCOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSDescriptionThe HBD438T is silison epitaxial-base PNP power transistor in TO-126 plasticpackage, intented for use in medium power linear and switching applications. Thecomplementary NPN type is HBD437T.TO-126A

 9.2. Size:43K  hsmc
 hbd437t.pdf pdf_icon

HBD436

Spec. No. : HT200201HI-SINCERITYIssued Date : 2001.04.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBD437TCOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSDescriptionThe HBD437T is silison epitaxial-base NPN power transistor in TO-126 plasticpackage, intented for use in medium power linear and switching applications. Thecomplementary PNP type is HBD438T.TO-126A

 9.3. Size:144K  shantou-huashan
 hbd435.pdf pdf_icon

HBD436

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD435 APPLICATIONS Medium Power Linear And Switching Applicatione. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector Dissipation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... HB123D , HB1274 , HB834 , HB857 , HBD195 , HBD196 , HBD241C , HBD435 , D882 , HBD681 , HBD682 , HBDW93C , HBDW94C , HBU3150A , HBU406 , HBU406H , HC1061 .

History: 2SB1144

 

 
Back to Top

 


 
.