KSH13005W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSH13005W  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSH13005W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSH13005W даташит

 ..1. Size:144K  shantou-huashan
 ksh13005w.pdf pdf_icon

KSH13005W

 6.1. Size:227K  semihow
 ksh13005a.pdf pdf_icon

KSH13005W

KSH13005A KSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005A KSH13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor - High voltage, high speed power switching - Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 75 Watts TO-220

 6.2. Size:223K  semihow
 ksh13005af.pdf pdf_icon

KSH13005W

KSH13005AF KSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005AF KSH13005AF Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor - High voltage, high speed power switching - Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 75 Watts TO

 6.3. Size:191K  inchange semiconductor
 ksh13005.pdf pdf_icon

KSH13005W

isc Silicon NPN Power Transistor KSH13005 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 0.6(Max) @ I = 2.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are pa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HP147TS, HP147TSW, HP31, HP31A, HP31B, HP31C, HP31CF, HPW41C, TIP35C, KSH13007W, KSH13009W, HP32, HP32A, HP32B, HP32CF, HP41C, HP42C