HP50 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор HP50 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: HP50
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220

Аналоги (замена) для HP50

HP50 Datasheet (PDF)

..1. Size:904K shantou-huashan
hp50.pdf

NPN S I L I C O N TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HP50 APPLICATIONS High Voltage And switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150 TjJunction Temperature 150 PCCollector DissipationTc=25

0.1. Size:111K philips
phb50n03lt phd50n03lt php50n03lt 7.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP50N03LT, PHB50N03LT Logic level FET PHD50N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 48 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 16 m (VGS = 10 V)g Logic leve

0.2. Size:65K philips
php50n06lt 3.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP50N06LT, PHB50N06LT, PHD50N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 50 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 24 m (VGS = 5 V)g Low thermal

0.3. Size:54K philips
php50n06 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP50N06 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 52 ASwitched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 150 W(SMPS), mo

0.4. Size:49K philips
php50n03t 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP50N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 50 Afeatures very low on-state r

0.5. Size:738K feihonltd
fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

0.6. Size:374K feihonltd
fhp50n06c.pdf