Справочник транзисторов. HS669A

 

Биполярный транзистор HS669A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HS669A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140(TYP) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для HS669A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HS669A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  shantou-huashan
 hs669a.pdf pdf_icon

HS669A

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HS669A APPLICATIONS Low Frequancy Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

Другие транзисторы... HP32CF , HP41C , HP42C , HP50 , HS2236 , HS600K , HS631K , HS649A , D965 , HS772 , HS882 , HSBD135 , HSBD136 , HSBD137 , HSBD138 , HSBD139 , HSBD140 .

History: 2SA1495

 

 
Back to Top

 


 
.