HSBD379 - описание и поиск аналогов

 

HSBD379. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSBD379

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для HSBD379

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSBD379 даташит

 ..1. Size:250K  shantou-huashan
hsbd379.pdfpdf_icon

HSBD379

 8.1. Size:251K  shantou-huashan
hsbd377.pdfpdf_icon

HSBD379

 8.2. Size:251K  shantou-huashan
hsbd376.pdfpdf_icon

HSBD379

 8.3. Size:251K  shantou-huashan
hsbd375.pdfpdf_icon

HSBD379

Другие транзисторы: HSBD234, HSBD236, HSBD237, HSBD238, HSBD375, HSBD376, HSBD377, HSBD378, A42, HSBD380, HSBD433, HSBD434, HSBD435, HSBD436, HSBD437, HSBD438, HSBD439

 

 

 

 

↑ Back to Top
.