HSBD433 - описание и поиск аналогов

 

HSBD433. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSBD433

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 22 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 22 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для HSBD433

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSBD433 даташит

 ..1. Size:250K  shantou-huashan
hsbd433.pdfpdf_icon

HSBD433

 8.1. Size:119K  shantou-huashan
hsbd435.pdfpdf_icon

HSBD433

 8.2. Size:119K  shantou-huashan
hsbd438.pdfpdf_icon

HSBD433

PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD438 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

 8.3. Size:119K  shantou-huashan
hsbd437.pdfpdf_icon

HSBD433

Другие транзисторы: HSBD237, HSBD238, HSBD375, HSBD376, HSBD377, HSBD378, HSBD379, HSBD380, BD333, HSBD434, HSBD435, HSBD436, HSBD437, HSBD438, HSBD439, HSBD440, HSBD441

 

 

 

 

↑ Back to Top
.