HSBD442. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HSBD442
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для HSBD442
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HSBD442 даташит
Другие транзисторы: HSBD434, HSBD435, HSBD436, HSBD437, HSBD438, HSBD439, HSBD440, HSBD441, 2N5551, HSC2621, H1008, H1015, H1020, H1020S, H1068, H1116, H1246
History: 2SC4533 | 2SC4572 | BC239C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720










