H2655S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H2655S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для H2655S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H2655S даташит

 ..1. Size:169K  shantou-huashan
 h2655s.pdf pdf_icon

H2655S

NP N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H2655S APPLICATIONS power amplifier Applications, power Switching Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissi

Другие транзисторы: H2222A, H227, H2274, H2328S, H2347, H2369, H237, H238, 2SC1815, H2717, H2907A, H3192, H3198, H3200, H3202, H3203, H327