Биполярный транзистор H400S
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: H400S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180(TYP)
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора:
TO92
Аналоги (замена) для H400S
H400S
Datasheet (PDF)
..1. Size:261K shantou-huashan
h400s.pdf 
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H400S APPLICATIONS Low Frequency Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature150 PCCollector Dissipation
0.1. Size:479K diodes
dmp10h400sk3.pdf 
DMP10H400SK3 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TC = +25C Low Input Capacitance 240m @ VGS = -10V -9A -100V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) -8A 300m @ VGS = -4.5V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards
0.2. Size:420K diodes
dmp10h400se.pdf 
DMP10H400SE 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Gate Drive BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 250m @ VGS = -10V -2.3A -100V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 300m @ VGS = -4.5V -2.1A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)
0.3. Size:404K diodes
dmp10h400seq.pdf 
DMP10H400SEQ 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Gate Drive BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 250m @ VGS = -10V -2.3A -100V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 300m @ VGS = -4.5V -2.1A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)
0.4. Size:266K inchange semiconductor
dmp10h400sk3.pdf 
isc P-Channel MOSFET Transistor DMP10H400SK3FEATURESDrain Current I = -9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 240m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.
