H400S - описание и поиск аналогов

 

H400S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H400S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H400S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H400S даташит

 ..1. Size:261K  shantou-huashan
h400s.pdfpdf_icon

H400S

 0.1. Size:479K  diodes
dmp10h400sk3.pdfpdf_icon

H400S

DMP10H400SK3 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TC = +25 C Low Input Capacitance 240m @ VGS = -10V -9A -100V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) -8A 300m @ VGS = -4.5V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards

 0.2. Size:420K  diodes
dmp10h400se.pdfpdf_icon

H400S

 0.3. Size:404K  diodes
dmp10h400seq.pdfpdf_icon

H400S

DMP10H400SEQ 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Gate Drive BVDSS RDS(ON) Max TA = +25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 250m @ VGS = -10V -2.3A -100V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 300m @ VGS = -4.5V -2.1A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

Другие транзисторы: H3332, H337, H368, H369, H370, H380TM, H3904, H3906, TIP42, H420, H421, H422, H423, H5342, H5401, H546, H547

 

 

 

 

↑ Back to Top
.