H5610. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H5610

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 360 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H5610

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H5610 даташит

 ..1. Size:105K  shantou-huashan
 h5610.pdf pdf_icon

H5610

Другие транзисторы: H547, H548, H549, H5551, H556, H557, H558, H5609, TIP2955, H562, H639, H643, H732TM, H733, H789A, H8050S, H817