H930. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H930

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H930

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H930 даташит

 ..1. Size:121K  shantou-huashan
 h930.pdf pdf_icon

H930

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H930 APPLICATIONS FM RF amp mixer osc converter and IF amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissip

Другие транзисторы: H817, H8550S, H9012, H9013, H9015, H9018, H926, H928S, MJE350, H933, H984, HA05, HA06, HA1695, HA1943, HA1962, HA42