HC8050S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HC8050S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для HC8050S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HC8050S даташит

 ..1. Size:130K  shantou-huashan
 hc8050s.pdf pdf_icon

HC8050S

 8.1. Size:137K  shantou-huashan
 hc8050.pdf pdf_icon

HC8050S

Другие транзисторы: HA94, HB772S, HC1417, HC4468, HC5027H, HC5200, HC5242, HC8050, 2N3055, HC8550, HC8550S, HD882S, HD965, HEB834, HED880, HEP31, HEP31A