Биполярный транзистор HC8050S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HC8050S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: TO92
HC8050S Datasheet (PDF)
hc8050s.pdf
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HC8050S APPLICATIONS Audio Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation
hc8050.pdf
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HC8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER PORTABLE RADIO IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050