HD965. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HD965

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для HD965

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HD965 даташит

 ..1. Size:260K  shantou-huashan
 hd965.pdf pdf_icon

HD965

Другие транзисторы: HC5027H, HC5200, HC5242, HC8050, HC8050S, HC8550, HC8550S, HD882S, BC337, HEB834, HED880, HEP31, HEP31A, HEP31B, HEP31C, HEP32, HEP32A