HEP31B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HEP31B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для HEP31B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEP31B даташит

 9.1. Size:64K  shantou-huashan
 hep31-a-b-c.pdf pdf_icon

HEP31B

Другие транзисторы: HC8550, HC8550S, HD882S, HD965, HEB834, HED880, HEP31, HEP31A, 13007, HEP31C, HEP32, HEP32A, HEP32B, HEP32C, HEP41C, HEP42C, HM28S