HX128M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HX128M

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для HX128M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HX128M даташит

 ..1. Size:260K  shantou-huashan
 hx128m.pdf pdf_icon

HX128M

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HX128M APPLICATIONS Suitable For Low Voltage Large Current Drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92S Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation

Другие транзисторы: HEP32B, HEP32C, HEP41C, HEP42C, HM28S, HS733, HS945, HX1267, 13003, HX2785, HX3199, HX3904, HX3906, HX789A, SFT1202E, SFT1202TLE, SFT2010