Биполярный транзистор 2N727 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N727
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO18
2N727 Datasheet (PDF)
jansr2n7275.pdf
JANSR2N7275Formerly FRL230R4 5A, 200V, 0.500 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 5A, 200V, rDS(ON) = 0.500 The Intersil Corporation has designed a series of SECONDGENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dosenel and P-Channel enhancement types with ratings from100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as- Meets Pre
jansr2n7272.pdf
JANSR2N7272Formerly FRL130R4 8A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Intersil Corporation,has designed a series of SECONDGENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dosenel and P-Channel enhancement types with ratings from100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as- Meets Pre
jansr2n7278.pdf
JANSR2N7278Formerly FRL234R4 4A, 250V, 0.700 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 4A, 250V, rDS(ON) = 0.700 The Intersil Corporation has designed a series of SECONDGENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dosenel and P-Channel enhancement types with ratings from100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as- Meets Pre
2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604Bbe completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDINGMIL-PRF-19500/604A21 June 1999PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES
Другие транзисторы... 2N720 , 2N720A , 2N721 , 2N721A , 2N722 , 2N722A , 2N725 , 2N726 , 2N5551 , 2N728 , 2N729 , 3CA200A , 2N730 , 2N731 , 2N734 , 2N734A , 2N735 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS