SFT1202E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SFT1202E

Маркировка: T1202

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для SFT1202E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SFT1202E даташит

 7.1. Size:57K  sanyo
 sft1202.pdf pdf_icon

SFT1202E

Ordering number ENA1169 SFT1202 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SFT1202 High-Voltage Switching Applications Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter. Features Adoption of FBET, MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switch

 7.2. Size:413K  onsemi
 sft1202.pdf pdf_icon

SFT1202E

Ordering number ENA1169A SFT1202 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FA Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter Features Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss

 7.3. Size:305K  onsemi
 sft1202-e.pdf pdf_icon

SFT1202E

Ordering number ENA1169A SFT1202 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FA Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter Features Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss

 7.4. Size:250K  inchange semiconductor
 sft1202.pdf pdf_icon

SFT1202E

isc Silicon NPN Power Transistor SFT1202 DESCRIPTION Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.165V(Max)( I = 1A; I = 0.1A) CE(sat C B Fast -Switching speed High allowable power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS DC/DC converter Relay dirvers Lamp dirvers Motor dirvers inverter ABSO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HS945, HX1267, HX128M, HX2785, HX3199, HX3904, HX3906, HX789A, S8550, SFT1202TLE, SFT2010, SFT2012, SFT2014, SFT3852-59, SFT5001, SFT6284, SFT6287