Биполярный транзистор SFT1202E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: SFT1202E
Маркировка: T1202
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO251
- подбор биполярного транзистора по параметрам
SFT1202E Datasheet (PDF)
sft1202.pdf

Ordering number : ENA1169 SFT1202SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorSFT1202High-Voltage Switching ApplicationsApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter.Features Adoption of FBET, MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switch
sft1202.pdf

Ordering number : ENA1169ASFT1202Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FAApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverterFeatures Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss
sft1202-e.pdf

Ordering number : ENA1169ASFT1202Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FAApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverterFeatures Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss
sft1202.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor SFT1202DESCRIPTIONLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.165V(Max)( I = 1A; I = 0.1A)CE(sat C BFast -Switching speedHigh allowable power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDC/DC converterRelay dirversLamp dirversMotor dirversinverterABSO
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: IDC3307 | BD135-6 | DTA024EEB | DMC56603 | BF393 | KRC407V | ZTX454
History: IDC3307 | BD135-6 | DTA024EEB | DMC56603 | BF393 | KRC407V | ZTX454



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830