SFT6678M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SFT6678M

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO254

 Аналоги (замена) для SFT6678M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SFT6678M даташит

 7.1. Size:222K  ssdi
 sft6678.pdf pdf_icon

SFT6678M

 9.1. Size:117K  ssdi
 sft6661.pdf pdf_icon

SFT6678M

SFF6661/39 Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 0.86 AMP DESIGNER S DATA SHEET N-CHANNEL MOSFET Part Number / Ordering Information 1/ 90 Volts, 4 SFF6661 /39 ___ Screening 2/ __ = Not Screened TX = TX Level Features TXV =

Другие транзисторы: SFT2010, SFT2012, SFT2014, SFT3852-59, SFT5001, SFT6284, SFT6287, SFT6678-3, BD135, SFT6678Z, SFT6800, SFT8200, SFT8500, 3CG8550M, T2095, EB203D, ECG127