T2095 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: T2095  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT89S

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для T2095

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

T2095 даташит

 ..1. Size:555K  jilin sino
 t2095.pdf pdf_icon

T2095

 ..2. Size:173K  galaxy
 t2095.pdf pdf_icon

T2095

Production specification High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor T2095 FEATURES High breakdown voltage Pb High current capability Lead-free High switching speed High reliability RoHS product APPLICATIONS SOT-89S Battery charger Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier

Другие транзисторы: SFT6287, SFT6678-3, SFT6678M, SFT6678Z, SFT6800, SFT8200, SFT8500, 3CG8550M, BC558, EB203D, ECG127, SBP13003, SBP13003D, SBP13003H, SBP13003O, SBP13005D, SBP13005D1