Биполярный транзистор 2N729 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N729
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO18
2N729 Datasheet (PDF)
jansr2n7292.pdf
JANSR2N7292Formerly FRF150R4 25A, 100V, 0.070 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 25A, 100V, rDS(ON) = 0.070 The Intersil Corporation has designed a series of SECONDGENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dosenel and P-Channel enhancement types with ratings from100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as- Meets P
jansr2n7294.pdf
JANSR2N7294Formerly FRF250R4 23A, 200V, 0.115 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 23A, 200V, rDS(ON) = 0.115 The Intersil Corporation has designed a series of SECONDGENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dosenel and P-Channel enhancement types with ratings from100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as- Meets P
2n7291 2n7293 2n7295 2n7297.pdf
INCH POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/606Bbe completed by 28 October 2004. 28 July 2004 SUPERSEDINGMIL-PRF-19500/606A 6 February 1998 * PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7291, 2N729
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS