S8050D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S8050D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для S8050D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S8050D даташит

 ..1. Size:222K  mcc
 s8050b s8050c s8050d.pdf pdf_icon

S8050D

MCC Micro Commercial Components TM S8050-B 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 S8050-C Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 S8050-D Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.5A Collector-base Voltage 40V Transistors Operating an

 ..2. Size:478K  feihonltd
 s8050d.pdf pdf_icon

S8050D

 ..3. Size:2166K  slkor
 s8050b s8050c s8050d.pdf pdf_icon

S8050D

S8050 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 25 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter-Base VOltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 500 mAdc PD 0.625 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C Storage, Temper

 ..4. Size:396K  cn weida
 s8050b s8050c s8050d.pdf pdf_icon

S8050D

Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd. S8050 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit VCEO Collector-Emitter Voltage 25 Vdc VCBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VEBO Emitter-Base VOltage 5.0 Vdc Collector Current IC 500 mAdc PD Total Device Dissipation T =25 C 0.625 W A Junction Te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SD1018, SD1019-2, SD1019-5, SD4011, SD4013, SD4590, S8050B, S8050C, S9018, S8050G, S8550B, S8550C, S8550D, S8550G, S9011, S9011LT1, S9012G