SBC847AWT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBC847AWT1G

Маркировка: 1E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для SBC847AWT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBC847AWT1G даташит

 ..1. Size:109K  onsemi
sbc847awt1g.pdfpdf_icon

SBC847AWT1G

BC846, BC847, BC848 General Purpose Transistors NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier www.onsemi.com applications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR Features 3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC

 8.1. Size:1432K  onsemi
sbc846alt1g sbc846blt1g sbc846blt3g sbc847clt1g sbc848blt1g.pdfpdf_icon

SBC847AWT1G

BC846ALT1G Series, SBC846ALT1G Series General Purpose Transistors NPN Silicon Features http //onsemi.com Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating - Human Body Model >4000 V COLLECTOR ESD Rating - Machine Model >400 V 3 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique BASE Site and Control Change Requirements

 8.2. Size:110K  onsemi
bc847bpdxv6 sbc847bpdxv6.pdfpdf_icon

SBC847AWT1G

BC847BPDXV6, SBC847BPDXV6 NPN/PNP Dual General Purpose Transistor This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-563 which is designed for low http //onsemi.com power surface mount applications. Features (3) (2) (1) S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualif

 8.3. Size:123K  onsemi
sbc847blt1g.pdfpdf_icon

SBC847AWT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon SBC847BLT1G Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit SOT 23 Collector Emitter Voltage VCEO 45 Vdc 3 COLLECT

Другие транзисторы: SBC817-40LT3G, SBC846ALT1G, SBC846BDW1T1G, SBC846BLT1G, SBC846BLT3G, SBC846BPDW1T1G, SBC846BPDW1T2G, SBC846BWT1G, A733, SBC847BDW1T1G, SBC847BDW1T3G, SBC847BLT1G, SBC847BPDW1T1G, SBC847BPDW1T3G, SBC847BPDXV6T1G, SBC847BWT1G, SBC847CDW1T1G