Справочник транзисторов. SBC847BLT1G

 

Биполярный транзистор SBC847BLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SBC847BLT1G
   Маркировка: S1F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

SBC847BLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  onsemi
sbc847blt1g.pdfpdf_icon

SBC847BLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconSBC847BLT1G Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating Human Body Model: >4000 VESD Rating Machine Model: >400 V3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitSOT23CollectorEmitter Voltage VCEO 45 Vdc3COLLECT

 7.1. Size:110K  onsemi
bc847bpdxv6 sbc847bpdxv6.pdfpdf_icon

SBC847BLT1G

BC847BPDXV6,SBC847BPDXV6NPN/PNP Dual GeneralPurpose TransistorThis transistor is designed for general purpose amplifierapplications. It is housed in the SOT-563 which is designed for lowhttp://onsemi.compower surface mount applications.Features(3) (2) (1) S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualif

 7.2. Size:114K  onsemi
sbc847bpdxv6t1g.pdfpdf_icon

SBC847BLT1G

BC847BPDXV6,SBC847BPDXV6NPN/PNP Dual GeneralPurpose TransistorThis transistor is designed for general purpose amplifierapplications. It is housed in the SOT-563 which is designed for lowhttp://onsemi.compower surface mount applications.Features(3) (2) (1) S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualif

 7.3. Size:144K  onsemi
sbc847bdw1t1g.pdfpdf_icon

SBC847BLT1G

BC846BDW1T1G,SBC846BDW1T1G,BC847BDW1T1G,SBC847BDW1T1G Series,NSVBC847BDW1T2G,BC848CDW1T1Ghttp://onsemi.comDual General PurposeTransistorsSOT-363CASE 419BNPN DualsSTYLE 1These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is(3) (2) (1)designed for low power surface mount applications.FeaturesQ1 Q

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: CV7724 | 2SA714 | A92 | LDTA124GET1G | 2SD1803R | ST2SD2150U | BC550A

 

 
Back to Top

 


 
.