SBC847BLT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SBC847BLT1G
Маркировка: S1F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для SBC847BLT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
SBC847BLT1G даташит
sbc847blt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon SBC847BLT1G Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit SOT 23 Collector Emitter Voltage VCEO 45 Vdc 3 COLLECT
bc847bpdxv6 sbc847bpdxv6.pdf
BC847BPDXV6, SBC847BPDXV6 NPN/PNP Dual General Purpose Transistor This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-563 which is designed for low http //onsemi.com power surface mount applications. Features (3) (2) (1) S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualif
sbc847bpdxv6t1g.pdf
BC847BPDXV6, SBC847BPDXV6 NPN/PNP Dual General Purpose Transistor This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-563 which is designed for low http //onsemi.com power surface mount applications. Features (3) (2) (1) S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualif
sbc847bdw1t1g.pdf
BC846BDW1T1G, SBC846BDW1T1G, BC847BDW1T1G, SBC847BDW1T1G Series, NSVBC847BDW1T2G, BC848CDW1T1G http //onsemi.com Dual General Purpose Transistors SOT-363 CASE 419B NPN Duals STYLE 1 These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is (3) (2) (1) designed for low power surface mount applications. Features Q1 Q
Другие транзисторы: SBC846BLT1G, SBC846BLT3G, SBC846BPDW1T1G, SBC846BPDW1T2G, SBC846BWT1G, SBC847AWT1G, SBC847BDW1T1G, SBC847BDW1T3G, MJE340, SBC847BPDW1T1G, SBC847BPDW1T3G, SBC847BPDXV6T1G, SBC847BWT1G, SBC847CDW1T1G, SBC847CDXV6T1G, SBC847CLT1G, SBC847CWT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor








