SBP5027R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBP5027R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для SBP5027R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBP5027R даташит

 ..1. Size:474K  winsemi
 sbp5027r.pdf pdf_icon

SBP5027R

SBP5027-R SBP5027-R SBP5027-R SBP5027-R High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features Features Features Features Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA General Description Gener

Другие транзисторы: SDTC144EET1G, SHN1B01FDW1T1G, SJ5438, SJT1941PPN, SJT5198NPN, SBP13009K, SBP13009O, SBP13009S, 2N5401, SBP5305DO, SBP5307DO, SF127A, SF127B, SF127C, SF127D, SF127E, SF127F