Справочник транзисторов. SBP5027R

 

Биполярный транзистор SBP5027R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SBP5027R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для SBP5027R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBP5027R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  winsemi
 sbp5027r.pdf pdf_icon

SBP5027R

SBP5027-RSBP5027-RSBP5027-RSBP5027-RHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionGener

Другие транзисторы... SDTC144EET1G , SHN1B01FDW1T1G , SJ5438 , SJT1941PPN , SJT5198NPN , SBP13009K , SBP13009O , SBP13009S , TIP41 , SBP5305DO , SBP5307DO , SF127A , SF127B , SF127C , SF127D , SF127E , SF127F .

 

 
Back to Top

 


 
.