Биполярный транзистор SBP5307DO - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SBP5307DO
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для SBP5307DO
SBP5307DO Datasheet (PDF)
sbp5307do.pdf
SemiWell Semiconductor SBP5307D-O Symbol High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor 2 Features 1 3 Very High Switching Speed Minimum lot to lot hFE Variation Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolu
sbp5305do.pdf
SemiWell Semiconductor SBP5305D-O Symbol High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor 2 Features 1 3 Very High Switching Speed Minimum lot to lot hFE Variation Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolu
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050