SBP5307DO. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBP5307DO

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для SBP5307DO

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBP5307DO даташит

 ..1. Size:129K  semiwell
 sbp5307do.pdf pdf_icon

SBP5307DO

SemiWell Semiconductor SBP5307D-O Symbol High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor 2 Features 1 3 Very High Switching Speed Minimum lot to lot hFE Variation Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolu

 8.1. Size:130K  semiwell
 sbp5305do.pdf pdf_icon

SBP5307DO

SemiWell Semiconductor SBP5305D-O Symbol High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor 2 Features 1 3 Very High Switching Speed Minimum lot to lot hFE Variation Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolu

Другие транзисторы: SJ5438, SJT1941PPN, SJT5198NPN, SBP13009K, SBP13009O, SBP13009S, SBP5027R, SBP5305DO, BC548, SF127A, SF127B, SF127C, SF127D, SF127E, SF127F, SD1134-05, SD1135