SD1224-02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD1224-02

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: M113

 Аналоги (замена) для SD1224-02

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD1224-02 даташит

 ..1. Size:353K  hgsemi
 sd1224-02.pdf pdf_icon

SD1224-02

HG RF POWER TRANSISTOR SD1224-02 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features 175 MHz 28 VOLTS CLASS C COMMON EMITTER EFFICIENCY 60% MIN. POUT = 40 W MIN. GP = 7.6 dB GAIN DESCRIPTION The SD1224-02 is an epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for 28 V FM Class C RF amplifiers utilized in ground

 7.1. Size:47K  st
 sd1224-10.pdf pdf_icon

SD1224-02

SD1224-10 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS .30 MHz .28 VOLTS .IMD -28 dB .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P 30 W MIN. WITH 18 dB GAIN = OUT .380 4LFL (M113) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1224-10 1224-10 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1224-10 is a 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB com- 1. Collector 3. Base municat

 7.2. Size:330K  hgsemi
 sd1224-10.pdf pdf_icon

SD1224-02

HG RF POWER TRANSISTOR SD1224-10 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR .30 MHz .28 VOLTS .IMD -28 dB .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P = 30 W MIN. WITH 18 dB GAIN OUT .380 4LFL (M113) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1224-10 1224-10 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1224-10 is a 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for

 8.1. Size:162K  toshiba
 2sd1224.pdf pdf_icon

SD1224-02

2SD1224 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (darlington) 2SD1224 Pulse Motor Drive, Hammer Drive Applications Unit mm Switching Applications Power Amplifier Applications High DC current gain hFE = 4000 (min) (V = 2 V, I = 150 mA) CE C Low saturation voltage V = 1.5 V (max) (I = 1 A, I = 1 mA) CE (sat) C B Maximum Ratings (Ta = 25 C) Cha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SD1134-05, SD1135, SD1136, SD1143, SD1143-01, SD1146, SD1219, SD1224, 2N3906, SD1224-10, SD1272, SD1272-2, SD1274, SD1274-01, SD1275, SD1275-01, SD1285