Биполярный транзистор SD1274 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: SD1274
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: SOT120
- подбор биполярного транзистора по параметрам
SD1274 Datasheet (PDF)
sd1274.pdf

SD1274RF POWER BIPOLAR TRANSISTORSVHF MOBILE APPLICATIONSFEATURES SUMMARY Figure 1. Package 160 MHz 13.6 VOLTS COMMON EMITTER POUT = 30 W MIN. WITH 10 dB GAINDESCRIPTIONThe SD1274 is a 13.6 V Class C epitaxial siliconNPN planar transistor designed primarily for VHFcommunications. The SD1274 utilizes an emitter.380 4L STUD (M135)ballasted die geometry to
sd1274.pdf

HG RF POWER TRANSISTORSD1274SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR.160 MHz.13.6 VOLTS.COMMON EMITTER.P 30 W MIN. WITH 10 dB GAIN=OUT.380 4L STUD (M135)epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1274 SD1274PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe SD1274 is a 13.6 V Class C epitaxial siliconNPN planar transistor designed primarily for VHFcommunications. The S
sd1274-01.pdf

SD1274-01RF POWER BIPOLAR TRANSISTORSVHF MOBILE APPLICATIONSFEATURES SUMMARY Figure 1. Package 160 MHz 13.6 VOLTS COMMON EMITTER POUT = 30 W MIN. WITH 10 dB GAINDESCRIPTIONThe SD1274-01 is a 13.6 V Class C epitaxial sili-con NPN planar transistor designed primarily forVHF communications. The SD1274-01 utilizes an.380 4L FL (M113)emitter ballasted die geo
2sd1274.pdf

Power Transistors2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274BSilicon NPN triple diffusion planar typeFor power amplificationUnit: mmFeatures 10.0 0.2 4.2 0.25.5 0.2 2.7 0.2 High collector to base voltage VCBO High-speed switching Full-pack package which can be installed to the heat sink with 3.1 0.1one screwAbsolute Maximum Ratings (TC=25C)1.3 0.2Parameter Symbol Ra
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 3DA50E | BFG520-X | 3DD13005B5 | 40940 | BUX40A | TN3708
History: 3DA50E | BFG520-X | 3DD13005B5 | 40940 | BUX40A | TN3708



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383