Биполярный транзистор SD1275-01 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: SD1275-01
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: M113
- подбор биполярного транзистора по параметрам
SD1275-01 Datasheet (PDF)
sd1275-01.pdf

SD1275-01RF POWER BIPOLAR TRANSISTORSVHF MOBILE APPLICATIONSFEATURES SUMMARY Figure 1. Package 160 MHz 13.6 VOLTS COMMON EMITTER POUT = 40 W MIN. WITH 9.0 dB GAINDESCRIPTIONThe SD1275-01 is a 13.6 V Class C epitaxial sili-con NPN planar transistor designed primarily forVHF communications. The SD1275-01 utilizes an.380 4L FL (M113)emitter ballasted die ge
sd1275.pdf

SD1275RF POWER BIPOLAR TRANSISTORSVHF MOBILE APPLICATIONSFEATURES SUMMARY Figure 1. Package 160 MHz 13.6 VOLTS COMMON EMITTER POUT = 40 W MIN. WITH 9 dB GAINDESCRIPTIONThe SD1275 is a 13.6 V Class C epitaxial siliconNPN planar transistor designed primarily for VHFcommunications. The SD1275 utilizes an emitter.380 4L STUD (M135)ballasted die geometry to w
2sd1275.pdf

Power Transistors2SD1275, 2SD1275ASilicon NPN triple diffusion planar type DarlingtonUnit: mmFor power amplification10.0 0.2 4.2 0.2Complementary to 2SB949 and 2SB949A 5.5 0.2 2.7 0.2Features 3.1 0.1High foward current transfer ratio hFEHigh-speed switchingFull-pack package which can be installed to the heat sink withone screw1.3 0.21.4 0.1Absolute
2sd1275 2sd1275a.pdf

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD1275 2SD1275A DESCRIPTION With TO-220Fa package Complement to type 2SB949,2SB949A High forward current transfer ratio hFE High-speed switching APPLICATIONS For power amplification PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol ABSOLUTE MA
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2SC5657 | CBCP68 | RN1106ACT | D882-Y-TE3B | IDA968B | 3CG698 | 3DD201
History: 2SC5657 | CBCP68 | RN1106ACT | D882-Y-TE3B | IDA968B | 3CG698 | 3DD201



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent