Биполярный транзистор MPSA18RLRAG - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MPSA18RLRAG
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для MPSA18RLRAG
MPSA18RLRAG Datasheet (PDF)
mpsa18rlrag.pdf
MPSA18Preferred Device Low Noise TransistorNPN SiliconFeatures These are Pb-Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value Unit BASECollector-Emitter Voltage VCEO 45 Vdc1EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 45 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 6.5 VdcCollector Current - Continuous IC 200 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 25
mpsa18rlrmg.pdf
MPSA18Preferred Device Low Noise TransistorNPN SiliconFeatures These are Pb-Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value Unit BASECollector-Emitter Voltage VCEO 45 Vdc1EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 45 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 6.5 VdcCollector Current - Continuous IC 200 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 25
mpsa18 mpsa18re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSA18/DLow Noise TransistorNPN SiliconMPSA18Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 45 VdcCollectorBase Voltage VCBO 45 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.5 VdcColle
mpsa18.pdf
Discrete POWER & SignalTechnologiesMPSA18C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for low noise, high gain, applications atcollector currents from 1 A to 50 mA. Sourced from Process07. See 2N5088 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 VV
mpsa18.pdf
MPSA18Preferred Device Low Noise TransistorNPN SiliconFeatures These are Pb-Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value Unit BASECollector-Emitter Voltage VCEO 45 Vdc1EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 45 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 6.5 VdcCollector Current - Continuous IC 200 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 25
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050