Биполярный транзистор MPSW51G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MPSW51G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO92
MPSW51G Datasheet (PDF)
mpsw51g.pdf
MPSW51, MPSW51AOne Watt High CurrentTransistorsPNP SiliconFeatures http://onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*COLLECTOR32MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO Vdc1MPSW51 -30EMITTERMPSW51A -40Collector-Base Voltage VCBO VdcMPSW51 -40MPSW51A -50Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Curre
mpsw51re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW51/DOne Watt High Current TransistorsPNP Silicon MPSW51COLLECTOR3MPSW51A**Motorola Preferred Device2BASE1EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage MPSW51 VCEO 30 Vdc 12MPSW51A 403CollectorBase Voltage MPSW51 VCBO 40 VdcCASE 2905, STYLE 1MPSW51A
mpsw51ag.pdf
MPSW51, MPSW51AOne Watt High CurrentTransistorsPNP SiliconFeatures http://onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*COLLECTOR32MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO Vdc1MPSW51 -30EMITTERMPSW51A -40Collector-Base Voltage VCBO VdcMPSW51 -40MPSW51A -50Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Curre
mpsw51arlrpg.pdf
MPSW51, MPSW51AOne Watt High CurrentTransistorsPNP SiliconFeatures http://onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*COLLECTOR32MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO Vdc1MPSW51 -30EMITTERMPSW51A -40Collector-Base Voltage VCBO VdcMPSW51 -40MPSW51A -50Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Curre
mpsw51arlrag.pdf
MPSW51, MPSW51AOne Watt High CurrentTransistorsPNP SiliconFeatures http://onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*COLLECTOR32MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO Vdc1MPSW51 -30EMITTERMPSW51A -40Collector-Base Voltage VCBO VdcMPSW51 -40MPSW51A -50Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Curre
mpsw51-a.pdf
MPSW51, MPSW51AOne Watt High CurrentTransistorsPNP SiliconFeatures http://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR32MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO Vdc1MPSW51 -30EMITTERMPSW51A -40Collector-Base Voltage VCBO VdcMPSW51 -40MPSW51A -50Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuous IC
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: BD535J
History: BD535J
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050