Биполярный транзистор MRF10005 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF10005
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1215 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: 336E-02
MRF10005 Datasheet (PDF)
mrf10005.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF10005/DThe RF LineMicrowave Power TransistorMRF10005. . . designed for CW and long pulsed common base amplifier applications,such as JTIDS and Mode S, in the 0.96 to 1.215 GHz frequency range at highoverall duty cycles. Guaranteed Performance @ 1.215 GHz, 28 VdcOutput Power = 5.0 Watts CWMinimum Gain = 8.5 d
mrf10005.pdf
MRF10005 Microwave Power Silicon Bipolar Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 053007 5.0 W, 9601215 MHz, 28V Features Product Image Guaranteed performance @1.215GHz, 28Vdc Output power: 5.0W CW Minimum gain = 8.5dB, 10.3dB (Typ.) RF performance curves for 28 Vdc and 36 Vdc opera-tion 100% tested for load mismatch at all phase angles with 10:
mrf1000m.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1000MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1000MAPower TransistorsMRF1000MB. . . designed for Class A and AB common emitter amplifier applications in thelowpower stages of IFF, DME, TACAN, radar transmitters, and CW systems. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 18 Vdc Class AOutput Power = 0.2 Watt0.7 W, 96
mrf1000ma mrf1000mb.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1000MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1000MAPower TransistorsMRF1000MB. . . designed for Class A and AB common emitter amplifier applications in thelowpower stages of IFF, DME, TACAN, radar transmitters, and CW systems. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 18 Vdc Class AOutput Power = 0.2 Watt0.7 W, 96
mrf1000mb.pdf
MRF1000MB Class A, Class AB Microwave Power Silicon NPN Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 053007 0.7 W, 9601215 MHz, 18V Features Product Image Guaranteed performance @ 1090 MHz, 18 Vdc Class A Output power: 0.2W Minimum gain: 10dB 100% tested for load mismatch at all phase angles with 10:1 VSWR Industry standard package Nitride
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050