MRF1015MA - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MRF1015MA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MRF1015MA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1215 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: 332-04

 Аналоги (замена) для MRF1015MA

 

MRF1015MA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  motorola
mrf1015ma mrf1015mb.pdfpdf_icon

MRF1015MA

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1015MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1015MA Power Transistors MRF1015MB . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 15 Watts Peak 15 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum

 ..2. Size:341K  hgsemi
mrf1015ma.pdfpdf_icon

MRF1015MA

MRF1015MA Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 15 Watts Peak 15 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum Gain = 10 dB MICROWAVE POWER 100% Tested for Load Mismatch at All

 6.1. Size:110K  motorola
mrf1015m.pdfpdf_icon

MRF1015MA

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1015MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1015MA Power Transistors MRF1015MB . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 15 Watts Peak 15 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum

 6.2. Size:238K  hgsemi
mrf1015mb.pdfpdf_icon

MRF1015MA

HG RF POWER TRANSISTOR MRF1015MB Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 15 Watts Peak Minimum Gain = 10 dB 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10 1

Другие транзисторы... MRF1001A , MRF1002MA , MRF1002MB , MRF10031 , MRF1004MA , MRF1004MB , MRF10120 , MRF10150 , C3198 , MRF1015MB , MRF10350 , MRF10502 , MRF1090MA , MRF1090MB , MRF1150MA , MRF1150MB , MRF16006 .

 

 
Back to Top

 


 
.