MRF1015MA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF1015MA  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1215 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: 332-04

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF1015MA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1015MA даташит

 ..1. Size:110K  motorola
 mrf1015ma mrf1015mb.pdf pdf_icon

MRF1015MA

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1015MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1015MA Power Transistors MRF1015MB . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 15 Watts Peak 15 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum

 ..2. Size:341K  hgsemi
 mrf1015ma.pdf pdf_icon

MRF1015MA

MRF1015MA Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 15 Watts Peak 15 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum Gain = 10 dB MICROWAVE POWER 100% Tested for Load Mismatch at All

 6.1. Size:110K  motorola
 mrf1015m.pdf pdf_icon

MRF1015MA

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1015MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1015MA Power Transistors MRF1015MB . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 15 Watts Peak 15 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum

 6.2. Size:238K  hgsemi
 mrf1015mb.pdf pdf_icon

MRF1015MA

HG RF POWER TRANSISTOR MRF1015MB Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 15 Watts Peak Minimum Gain = 10 dB 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF1001A, MRF1002MA, MRF1002MB, MRF10031, MRF1004MA, MRF1004MB, MRF10120, MRF10150, C3198, MRF1015MB, MRF10350, MRF10502, MRF1090MA, MRF1090MB, MRF1150MA, MRF1150MB, MRF16006