Справочник транзисторов. MRF1090MA

 

Биполярный транзистор MRF1090MA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF1090MA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 290 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: 332-04
 

 Аналог (замена) для MRF1090MA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1090MA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  motorola
 mrf1090ma mrf1090mb.pdf pdf_icon

MRF1090MA

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1090MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1090MAPower TransistorsMRF1090MBDesigned for Class B and C common base amplifier applications in shortpulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 90 Watts Peak90 W PEAK, 9601215 MHzMinimum Gain = 8.4 dBMICROWAVE

 ..2. Size:106K  motorola
 mrf1090ma.pdf pdf_icon

MRF1090MA

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1090MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1090MAPower TransistorsDesigned for Class B and C common base amplifier applications in shortpulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 90 Watts Peak90 W PEAK, 9601215 MHzMinimum Gain = 8.4 dBMICROWAVE POWER

 ..3. Size:255K  hgsemi
 mrf1090ma.pdf pdf_icon

MRF1090MA

HG RF POWER TRANSISTORMRF1090MASemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDesigned for Class B and C common base amplifier applications in shortpulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 90 Watts PeakMinimum Gain = 8.4 dB 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1 VSWR Industry Sta

 0.1. Size:104K  motorola
 mrf1090marev8.pdf pdf_icon

MRF1090MA

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1090MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1090MAPower TransistorsMRF1090MBDesigned for Class B and C common base amplifier applications in shortpulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 90 Watts Peak90 W PEAK, 9601215 MHzMinimum Gain = 8.4 dBMICROWAVE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF1004MA , MRF1004MB , MRF10120 , MRF10150 , MRF1015MA , MRF1015MB , MRF10350 , MRF10502 , 2SB817 , MRF1090MB , MRF1150MA , MRF1150MB , MRF16006 , MRF1946 , MRF1946A , MRF235 , MRF240 .

History: BC640-10 | 2SC3336 | 3N64 | 2SB531 | 2N2222AE | BDW73D

 

 
Back to Top

 


 
.